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发射半导体激光器的结构、工作原理及性能优势

发布时间:2020-09-26 05:32 作者:真人麻将

  器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有光束质量好、阈值电流低、易于二维列阵集成和制造成本低廉等优点。近年来,以VCSEL为基础发展起来的电抽运和光抽运垂直外腔面发射激光器(VECSEL),在获得高的输出功率和光束质量的同时,可以通过在腔内插入元件,实现腔内倍频、波长可调谐和锁模等激光技术,在激光领域很有竞争力。本文介绍了面发射半导体激光器的结构、工作原理及性能优势,综述了其在高功率输出、可调谐技术、锁模技术等方面的研究现状与进展,探讨了该类型激光器的发展前景。

  半导体激光器具有体积小、质量轻、效率高、波长范围广、易集成、可靠性高、可批量化生产等优点,自20世纪70年代初实现室温连续运转以来,已成为光电子技术领域的重要器件。传统的边发射半导体激光器已实现较大功率输出,但其输出光斑为椭圆形,光斑的纵横比最差可达100 … 1,在某些应用中须附加光束整形系统。1979年,Soda等提出了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的概念,与传统的边发射激光器不同的是其激光出射方向垂直于衬底表面,可获得圆形光斑。由于谐振腔长与波长接近,动态单模性比较好,有望在光通信、光互连、光存储、激光显示和照明等领域大展身手。目前,Princeton Optronics公司获得了VCSEL单管连续输出的最高功率为5.5 W。可是,由于VCSEL的谐振腔是由顶部布拉格反射镜(DBR)和底部布拉格反射镜构成,腔长与波长同量级,导致器件发散角较大(半角宽度约15°)。为了获得较小的发散角,一种垂直外腔面发射激光器(VECSEL)应运而生。由于采用外腔结构,其腔长由波长量级增加到毫米至厘米量级,有效改善了光束质量,理论极值达M2~1。早期的垂直外腔面发射激光器依旧采用电抽运(EP)方式,目前EP - VECSEL单管获得了超过9 W的连续输出。可是电抽运VCSEL和VECSEL均因电流注入不均匀和串联电阻热堆积,在单横模工作模式下高功率输出受到限制。1997年,Kuznetsov等提出的光抽运垂直外腔面发射激光器(OP - VECSEL),也有人称为半导体盘片激光器(SDL)。其综合了高光束质量的垂直腔面发射激光器和高功率激光二极管抽运的固体激光器的优势,可同时获得高功率和高光束质量的激光输出,覆盖从深紫外到中红外波段的广阔波段。在紫外及蓝紫光波段,半导体增益介质以InGaN - GaN材料体系为主,在GaN基底材料上生长出多个InGaN量子阱。在红光至近红外波段,半导体增益介质主要采用在GaAs衬底上生长InGaP – AlGaInP、GaAs - AlGaAs、InGaAs - GaAsP及GaInNAs- GaAs量子阱。1.5 μm附近波段主要在InP衬底上生长AlGaInAs - InP量子阱来实现,2~3 μm则通过在GaSb衬底上生长GaInAsSb - GaSb材料系来实现。对于更长的4~5 μm波段,衬底材料多为BaF2,增益介质材料为PbSe - PbEuTe或PbTe - PbEuTe体系。同时,得益于其外腔的存在,可以方便地进行锁模而获得超短脉冲输出;还可以实现高效率的激光腔内频—频转换,扩展了输出波长范围。另外,OP - VECSEL的独到之处在于半导体增益芯片结构简单、无p - n结、无电接触,极大地简化其生长过程,在提高增益芯片可靠性的同时,消除附加电阻上的热效应;抽运波长可选择性设计;可获得百纳米的波长调谐范围;半导体增益芯片上抽运光斑较大,高功率时产生光学损伤的可能性减小;激光器体积紧凑,携带方便,实用程度高。在实际应用中,方便作为仪器仪表和显微镜的配套光源,目前,单管OP - VECSEL连续输出功率已高达106 W。

  本文介绍了VCSEL,EP - VECSEL和OP - VECSEL的原理和特性,并综述了其最新研究进展、主要应用和发展前景。

  如图1所示,典型的VCSEL包括顶发射和底发射两种结构。一般来说,早期典型器件是通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在N型GaAs衬底上生长而成的。其主要由DBR作为激光腔镜,量子阱有源区(MQWs)夹在n - DBR和p - DBR之间,由于量子阱厚度小,使单程增益很小,因此反射镜的反射率较高,一般全反腔镜反射率>

  99.9%,输出腔镜反射率通过理论计算设定最佳的耦合输出率(>

  99%),然后,在衬底和p - DBR外表面制作金属接触层。通过在p - DBR或n - DBR上制作一个圆形出光窗口,获得圆形光束,窗口直径从几微米到百微米量级,再和导热性好的热沉键合,提高芯片的散热性能。由于GaAs衬底对800 nm附近的光有强吸收,所以在这个波段的器件通常采取顶发射结构。底发射结构可用于产生976 nm和1064 nm波段,为了减少衬底的吸收损耗,通常将衬底减薄到150 μm以下,再生长一层增透膜,提高激光光束质量,最后将增益芯片安装在热沉上,离有源区更近,因此散热性更好。

  EP - VECSEL的芯片包括电注入结构、有源区和DBR,与传统的VCSEL相比,其引入的外腔结构增加了腔长,如图2所示。谐振腔包括p - DBR、n - DBR以及外腔镜等3个镜面,是一种由两个子谐振腔构成的耦合谐振腔。激光器芯片上生长的p - DBR、n - DBR以及夹在其中的有源区组成的谐振腔为有源腔,提供激射所需的增益;由p - DBR及外腔镜组成的谐振腔可以通过控制不同传输模式的损耗,抑制高阶横模,从而改善光束质量。

  OP - VECSEL与EP - VECSEL相比,减少了电流注入部分,其结构主要包括热沉、增益芯片、外腔输出镜(OC)、抽运光。抽运方式通常有两种:端面抽运和背端抽运;图3为端面抽运的OP - VECSEL结构,抽运光反向注入且与输出光成一定夹角(一般约为45°)聚焦到增益芯片上,如果角度太大会导致抽运光斑形状不均匀,而角度太小可能阻挡激光振荡。其增益芯片为顶发射结构,主要分为4个部分:衬底、DBR、MQWs增益区和窗口层,可在衬底上通过分子束外延技术(MBE)或者金属化学物有机气相沉积(MOCVD)逐层生长而成。考虑激光器的散热问题,通常把激光器芯片的顶层与热导率高的导热片键合后使用,如光学金刚石片、光学SiC片或蓝宝石片等。

  图4为背端抽运的OP - VECSEL及其增益芯片的结构,与端面抽运不同,其抽运光从后腔镜入射与输出光同轴同向。尽管抽运光斑不大,但可获得更加均匀的圆形抽运光斑,并且抽运光耦合系统相对容易架设,结构紧凑,更有利于激光的集成与封装。其增益芯片为底发射结构,生长顺序与顶发射不同,先在衬底上生长窗口层,再生长MQWs,最后生长DBR。再将DBR焊接到金刚石或SiC散热片上。另外,由于抽运光通过DBR后才进入增益区,因此要尽量使DBR对抽运光透明,对激光波长有高反射。

  近红外波段的研究较多也较为成熟,其中808 nm波段主要集中在高功率阵列输出方面。长期以来,Princeton Optronics公司致力于该方面的研究,并于2013年获得了目前最高输出功率的808 nm VCSEL阵列,应用于高速成像的高功率照明模块,其输出功率高达4800 W,可以在准连续条件下工作。

  850 nm VCSEL阵列输出功率已经达到4 W。2015年,Watkins等报道了850 nm单管VCSEL的单频激光输出超过100 mW,为目前850 nm最高的单管输出功率,据悉,该小组正在努力研制该波段输出功率5 W的单管器件。

  980 nm波段VCSEL的研究最为成熟。在很长一段时间内,D′Asaro等获得的3 W 980 nm VCSEL一直是电抽运VCSEL单管输出的最高功率。2015年他们获得了发射波长为976 nm的高功率电抽运VCSEL,在20 ℃连续工作条件下,功率达到5.5 W,刷新了单管VCSEL的最高功率。显然,阵列是提高输出功率的有效途径。2012年,Princeton Optronics公司推出的980 nm高功率VCSEL面阵和面阵组合模块产品,面阵组合模块连续输出超过14 kW,为目前980 nm阵列输出的最高功率。

  1 μm波段自Hou等率先在室温下获得1060 nm连续输出连续输出后发展迅速。Zhou等通过优化DBR和增益区的设计,获得了目前VCSEL单管63.4%的最高转换效率,高于Kageyama等获得的62%的转换效率。同时,他们用于照明领域的1064 nm照明器,由8 x 16 kW的模块组成,输出功率高达100 kW。

  1310 nm和1550 nm波段的VCSEL器件一般由InP和GaAs基材料体系来实现。Boehm等制作的1.3~2.0 μm AlGaInAs / InP系VCSEL,为了降低热效应,顶部反射镜由基于InP的化合物半导体组成,在MBE结构上生长的掩埋隧道结提供了自调节的横向电和光限制以及稳定的低电串联电阻。1.315 μm器件室温下的单模最大输出功率为0.43 mW,多模连续工作的最大输出功率为7 mW。Klem等在掺Si的GaAs衬底上生长InGaAsN增益材料并通过增大电流注入孔径和隧道结的形式在室温下获得了1300 nm的连续输出,最大输出功率为2.1 mW,可操作最高温度为105 ℃。Nishida等把DBR和量子阱之间的AlGaAs空间层替换为i - GaAs隔离层,以此阻止Al扩散到量子阱中降低表面质量和量子阱的光致发光(PL)密度,获得了4.2 mW的1261.5 nm输出。Michalzik将Sb加入到GaInNAs材料中,得到的GaInNAsSb可输出波长为1530 nm,连续输出功率为2 μW。

  可见光波段的紫光和蓝绿光主要通过GaN基材料直接激发,主要难点是短波长高反射率DBR的生长、有效的电流注入以及热管理。目前,420 nm紫光已经获得了0.6 mW的输出功率。使用高反射率的全电介质DBR的GaN基VCSEL已经获得了0.7 mW的451 nm蓝光和0.8 mW的503 nm绿光,其输出功率较低。Hamaguchi等考虑到n型GaN衬底的热导率高于传统使用的蓝宝石或Si衬底,加之外延横向过生长(ELO)方法可以精确控制腔体长度和形成高反射率电介质DBR,通过两者结合在GaN基VCSEL中获得了1.165 mW的453 nm激光输出,为目前电抽运蓝光VCSEL输出的最高功率。

  红光VCSEL也在热管理上遇到了很大的挑战。较高的发射能量将DBR AlxGa1-xAs的x的组成范围限制在0.5~1.0,限制了反射镜中可用的折射率范围,反过来又需要更多的DBR层数以实现所需的反射率,较多的DBR层数会产生较高的电流阻抗,而较高的热阻会加重器件的热效应。Johnson等在室温下获得了多模673 nm的AlGaInP VCSEL最大输出功率达到11.54 mW,转换效率达22.9%,为目前红光波段单管输出的最高水平。为了提高输出功率,Seurin等将GaAs衬底去除并将芯片焊接在高导热性基座上,制造高功率二维阵列,如2 mm x 2 mm的688 nm VCSEL阵列在室温下获得了3 W的连续输出功率,而4 mm x 4 mm的650 nm和688 nm VCSEL阵列在准连续(QCW)运转中分别获得了17和55 W的输出功率。

  EP - VECSEL是VCSEL向OP - VECSEL发展的过渡产物,其研究主要集中在最初的近红外波段(850~1550 nm),同时可以基于腔内倍频有效地在可见光区域产生激光辐射,易于设计为具有多个激光元件的二维阵列,大幅提高了输出功率。因此,EP - VECSEL适合批量生产,大大降低了制造成本。

  近红外波段的研究已有较多相关报道。Leeuwen等研制的980 nm EP - VECSEL产品,外腔镜使用双凸透镜与平面镜构成扩展腔结构,单管器件的基模和多模连续输出功率分别为365 mW和1 W,在15 ns、1 kHz的脉冲工作条件下,基横模峰值输出功率达到4 W。Princeton Optronics公司亦研制出包含475个发光单元的980 nm EP - VECSEL列阵器件,连续及脉冲工作时基模输出功率分别达到42 W和155 W,成为EP - VECSEL基横模输出的最高水平。1.06 μm波长获得了EP - VECSEL单管最高的输出功率,Zhao等使用MOCVD在n型GaAs衬底上生长芯片材料,为了减小吸收,衬底掺杂浓度很低(

  2004年,Kurdi等首次报道了InGaAsP EP - VECSEL室温输出1550 nm激光,该口径为50 μm的InP基VECSEL连续输出功率为0.3 mW,准连续条件下输出达2.76 mW。利用掩埋隧道结型和离子注入结型控制电流均匀性,获得了1550 nm的3 mW脉冲输出和0.5 mW单横模输出。2010年,Harkonen等利用掩埋隧道结型在GaInAsSb VECSEL中获得了2.34 μm脉冲光输出,设计了30~90 μm口径的器件,并在90 μm口径的器件中获得最高的脉冲峰值功率为1.5 mW。

  在红外波段,850 nm激光常采用量子阱内抽运方式以提高量子效率,减小热效应。其中,Zhang等使用806 nm光纤耦合激光二极管抽运GaAs / AlGaAs VECSEL,得到最大功率1.02 W的855 nm输出。Beyertt等使用833 nm抽运光阱内抽运获得了865 nm的1.6 W的激光输出,光光转换效率高至50%。美国相干公司研制的InGaAs / GaAs VECSEL,获得了30 W的980 nm和19 W的920 nm的连续多模输出,为目前980 nm单管OP - VECSEL获得的最高功率。960 nm基模激光也获得了数十瓦的功率输出。Rudin等报道了20.2 W输出的InGaAs/ GaAs VECSEL,其DBR对激光反射率R为99.95%,同时对抽运光反射率为97%,使抽运光得以两次通过增益区,吸收可达85%。使用808 nm激光器45°入射抽运,斜效率为49%,光光转换效率为43%,光束质量因子M2 ≈ 1.1,这是目前OP - VECSEL单管基模输出的最高功率。

  目前1 μm波段研究最为成熟。Lee等在背端抽运OP - VECSEL中利用液体毛细管绑定散热窗口获得了9.1 W的1079 nm连续输出,这是背端抽运获得的最高输出功率。Heinen等利用热电制冷器控制温度,提高芯片和基底的键合质量,利用金刚石作为散热片,在3 ℃时获得了106 W的1028 nm连续InGaAsOP - VECSEL多模激光输出,这是目前单管最高输出功率,在输出功率为99.6 W时,光光转换效率达45%。Zhang等利用腔内的双折射滤波片和5%的输出耦合镜,获得了23.6 W的1013 nm单频输出,为目前单频输出的最高功率。在更长的1160~1200 nm波段,由于InGaAs / GaAs中In的组分更高,晶格应变更严重,Kantola等在InGaAs / GaAs量子阱中生长了GaAsP应力补偿层,在热沉-15 ℃下获得了50 W的1180 nm输出,光光转换效率为28%。2017年,Leinonen等在AlGaInAsOP - VECSEL中利用特制的金反射镜将未吸收的光再次反射进增益区,增强吸收,在热沉-5 ℃下获得了33 W的1275 nm激光输出。

  2~5 μm中红外波段已经获得数十瓦级输出。Hopkins等在AlGaIn / AsSb VECSEL中获得了5 W的2 μm激光输出,利用双折射滤波片可调谐波长范围为80 nm。2015年,Holl等利用1470 nm低量子亏损抽运并结合前后散热热沉,在0 ℃条件下获得了2 μm激光的最高输出,功率达20 W,之后换用金刚石散热片在室温下获得了17 W的激光输出。Ishida等使用1.55 μm光纤激光抽运PbSrS/ PbS和PbTe / CdTe VECSEL,通过控制温度,分别获得了2.65~3 μm和3.3~4.2 μm的激光输出,最高功率分别达2 W和700 mW。而在BaF2衬底上生长PbTe / PbEuTe增益区并使用Al作为散热片,亦获得了300 mW的5 μm波长输出。

  在可见光波段,同GaN - VCSEL,直接激发材料获得紫光以及蓝光的主要难点集中在生长优质的DBR结构、合适的抽运源、腔结构的设计,以及高效的热管理。Debusmann等利用375 nm染料激光器抽运InGaN OP - VECSEL,获得415 nm蓝光,单脉冲能量为60 nJ,相应峰值功率22 W。2015年,Baumgärtner等在热沉温度-15 ℃条件下,于GaInP / AlGaInP OP - VECSEL中获得了1.6 W的665.5 nm连续红光,2016年,利用多程量子阱抽运,将功率提高到2.5 W,这是目前红光OP - VECSEL的最高输出功率。

  综上所述,面发射半导体激光器通过直接激发已可使输出波长覆盖从深紫外到数微米红外的波长范围。其中1 μm波段研究较为成熟,在该波段VCSEL单管最高输出功率达5.5 W,阵列输出功率达100 kW;EP- VECSEL单管最高输出功率超过9 W,阵列输出达42 W;OP - VECSEL单管最高输出功率106 W,单频最高输出功率23.6 W。另外,其突出的高转换效率也为面发射半导体增彩不少,VCSEL的转换效率最高可达63.4%。OP - VECSEL转换效率也高达50%。

  通过激光技术可以扩展面发射半导体激光器的应用,将其优点发挥到极致。利用偏硼酸钡(BBO)、三硼酸锂(LBO)、磷酸氧钛钾(KTP)等非线性晶体进行变频可得到更短波长的激光输出,进一步扩展波长范围;半导体增益片具有数十纳米的增益带宽,扩展腔结构亦可方便地插入滤波元件和调谐元件,获得单频和可调谐激光输出;半导体可饱和吸收镜(SESAM)被动锁模和克尔透镜锁模可以获得飞秒级超短脉冲,同时具有高重复频率,这些技术使面发射激光器有更为广阔的应用前景。

  红外波段的808和980 nm着重于高功率面阵的研究,用于抽运掺铒的光纤放大器和端面抽运Nd … YAG、Nd … YVO4等固体激光器以及红外照明、成像等应用。另外,Watkins等研制的单频窄线 nm VCSEL可用于原子钟及其相关领域,如基于原子钟新型传感器等。980 nm EP - VECSEL使用SESAM被动锁模已经获得了2.5 ps脉宽的激光输出,其平均功率为53.2 mW、峰值功率为4.73 W、重复频率为18.2 GHz,均为目前EP - VECSEL锁模的最高水平。980 nm OP - VECSEL利用InGaAs增益芯片的克尔透镜效应锁模得到了脉宽为930 fs、重复频率为210 MHz和峰值功率为6.8 kW的激光输出,为目前OP - VECSEL超短脉冲最高的峰值功率,可应用于光通信和光时钟领域。

  1 μm激光的超短脉冲,通过SESAM锁模脉冲宽度已经缩短至60 fs,重复频率高达175 GHz,平均功率提高到6.4 W,峰值功率亦提高到4.35 kW。使用碳纳米管可饱和吸收镜(GSAM)锁模,Husaini等获得了脉宽为353 fs、脉冲能量为2.8 nJ、平均功率为10 W的1030 nm输出,为目前超短脉冲最高的平均功率。在高速计算系统和计量学等领域、光时钟、频率转换、高速电光采样、时间分辨光谱学等占有一席之地。近几年,M Squared Laser公司成功地实现了输出波长范围920~1050 nm的锁模VECSEL的商业化应用,为日渐兴起的非线性显微镜市场提供了一种低成本、易操作的激光光源。2016年,Lubeigt等再次实现了脉冲130 fs以下,重复频率为200 MHz、平均功率为0.85 W的锁模OP - VECSEL,有望代替钛宝石超快激光器在非线年,Scheller等报道了产生1012和1015 nm的双波长OP - VECSEL,可用于差频产生太赫兹光源。图5是常用的2种SESAM被动锁模腔型,激光的一个端镜为耦合输出镜,另外一个端镜是被动锁模元件SESAM。图5(a)所示的V型腔通过移动耦合输出镜和SESAM的位置改变增益介质和SESAM上激光模式大小的比例,获得可调节的脉宽输出,图5(b)所示的Z型腔则具有更稳定的锁模输出。

  近红外波段中有三个石英光纤的低损窗口,850 nm是第一个低损窗口,主要用于短距离的高速数据通讯和光互连;1330 nm是第二个低损窗口;而1550 nm是第三个低损窗口,也是损耗最低的一个窗口。因此,1310 nm和1550 nm VCSEL分别用于中距离和远距离高速数据通讯和光互连、光并行处理、光识别系统等。目前,850 nm VCSEL设备的传输速度可达160 Gb·s-1。1.3 μm VCSEL设备的传输速度可达到25 Gb·s-1,1.5 μm VCSEL设备的传输速度可达56 Gb·s-1。2011年,Gierl等利用微机械技术(MEMS)进行调谐首次报道了1550 nm波段可调谐范围

  100 nm的单模输出,刷新了之前1550 nm最宽可调谐范围65 nm的记录。2012年,Jayaraman等报道了在InP1310 nm VCSEL中利用MEMS技术获得了150 nm的连续可调范围,该器件在其整个调谐范围内扫描速度高达500 kHz,可用做光学相干断层扫描和高速瞬态光谱扫描的光源。

  污染物,如CH4、CO、NO2H2等有强烈的吸收谱线,可用于天然气探测和大气环境监测,但是CO2和H2O对其吸收率很低,因此可以对样品进行光谱分析从而确定其成分组成。2009年,Harkonen使用980 nm光源采用典型的V型腔结构抽运GaSb VECSEL,获得了4 W的2 μm激光输出,并使用腔内双折射滤光片实现了156 nm可调谐范围。这是OP - VECSEL可获得的最宽的调谐范围。Solus Technologies公司开发了一种中红外1.9~2.5 μm波长范围窄线宽激光源,适用于气体传感器和分子光谱学。2.5~5 μm中红外波段可基于分子振动的模式作气体痕量分析,因此可以用于环境检测、高速排气分析、化学反应控制等领域。

  可见光波段激光可用于激光显示、激光照明、激光高密度存储和激光打印等领域。由于直接从材料中激发获得高功率输出不易,更多的通过外腔变频方法获得。EP - VECSEL利用PPLN晶体倍频获得了4.7 W的531 nm绿光输出。美国相干公司在InGaAs / GaAs OP - VECSEL中通过LBO晶体腔内倍频得到15 W的488 nm和5 W的460 nm倍频蓝光输出,是目前报道的蓝光最高输出功率。和传统的780 nm半导体激光器相比,倍频蓝光VECSEL具有波长短和光束质量好的优点,使聚焦光斑更小,可有效提高存储密度,从而提高存储的容量。另外,488 nm激光器还可用于流式细胞计来提高人类疾病的诊断准确率。2007年,Hunziker等使用LBO倍频研制的绿光OP - VECSEL,基模绿光最大输出11.5 W。为了提高功率他们使用两片芯片,成功获得了24 W的531 nm输出。随后,采用三个InGaAs / GaAs VECSEL芯片在腔内进行串接及腔内倍频的方式,获得了532 nm绿光基模输出达55 W,高阶模输出达66 W,这是目前绿光输出的最高功率。该公司还利用OP - VECSEL腔内倍频后得到的蓝光和绿光,与二极管激光器提供的红光相结合,构成三基色光源,成功用于激光显示,该光源体积小、成本低、集成度高,是激光显示领域很有竞争力的光源。基于530 nm绿光OP - VECSEL的小型犯罪侦查成像系统,可以有效减小相机的光圈,从而获得足够大的景深,可用于检测犯罪现场的

  Rautiainen等在利用1 μm波段倍频获得黄红光(580~620 nm)方面进行研究,获得了目前最高连续输出功率的黄光和红光。在研究中发现,GaInAs中掺入N可以有效的减少GaInAs的晶格应力,获得1.1~1.5 μm波段的激光输出,以便于倍频获得黄红光。而利用LBO晶体倍频获得了20 W连续588 nm输出,为目前黄光输出的最高功率,展示了黄光VECSEL在医疗领域的巨大潜力,可为视网膜病变等眼科疾病提供有效的治疗。另外,Hessenius等利用标准具调谐和LBO晶体倍频获得了可调谐单频黄光输出,调谐波长可覆盖钠D2线线 nm),是钠导星优质光源。2015年,Kantola等通过控制0.5%掺N量获得了1230 nm激光输出,并通过LBO倍频获得了10.5 W的615 nm连续激光输出,这是目前通过倍频可获得红光的最高功率。在

  测量和非接触检测系统等领域凭借良好的光束质量,可简化准直光学系统,提高分辨率。与适当染料耦合,是共焦显微镜在生物观测领域的潜在竞争对手。

  紫外波段在生物医学、原子捕获、光谱学、激光光刻、激光高密度存储等领域有重要的应用。目前,由红光倍频获得紫外光已获得数百毫瓦的功率输出。2015年,Baumgärtner等在应力补偿研制的红光OP - VECSEL中,利用BBO晶体倍频获得了429 mW的331.6 nm紫外光输出。而Mateo等利用多程量子阱抽运OP - VECSEL产生的665 nm红光倍频,获得了820 mW的333 nm紫外光输出,这是目前紫外波段可达到的最高功率。2017年,Yakshin等在InGaAs VECSEL获得了936 nm的基频光输出,通过四次倍频获得190 mW的234 nm的深紫外输出,是目前可获得的最短波长。

  可以通过4个方面提高功率输出:1)增加抽运尺寸,同时控制腔内的放大自发发射,减少增益损耗。2)进一步改善热管理,如使用导热性高的金刚石散热片和热沉,利用脉冲抽运,设计和制造双散热结构,低热阻半导体结构等等。通过以上方法,VCSEL和OP - VECSEL单管输出功率有望增加到数十瓦和数百瓦水平并保持优良的光束质量。3)使用多个增益芯片(目前最多有三个芯片),同时增加增益芯片面积。4)激光合束,可通过相干合束和非相干合束来获得,同时可保持优异的光束质量。

  扩展波长可通过以下方式实现:1)使用现有的半导体材料系统,找到合适的抽运源和抽运方式获得新波长,如GaN材料系统直接激发的蓝光,若能同时具有高功率和良好的光束质量将获得诸多应用。然而,合适的抽运光源并不容易获得。2)通过使用新型材料系统或新型非线性光学技术获得新的波长。各种非线性光学频率转换可扩大波长的范围:腔内倍频、三倍和四倍、和频产生,双波长激光器差频产生等,将波长扩展到200 nm以下的深紫外和5 μm以上的中红外波段,以此来填补现有波长的空白区域。

  高度集成化是指在一个半导体衬底上整合多个功能块。例如抽运源、可饱和吸收镜等器件,抽运源与VECSEL增益结构的集成已有相关报道。这种集成抽运的VECSEL可降低器件组装难度,易于制造大功率激光器,从而降低设备成本并扩大激光器的潜在市场。功能组件集成的另一个例子是锁模集成外腔面发射激光器,其中增益区和可饱和吸收区域集成在衬底上。通过这些方式,可以产生更加简单、紧凑、易于制造和便宜的设备,以及实现更好的性能和新颖的功能。未来发展功能集成可以帮助VECSEL在商业上得到更广泛的应用,特别是在低成本和大批量应用中,如移动投影

  总而言之,面发射半导体激光器正通过技术推动和市场拉动扩大其影响力。现有和正在开发的产品在市场推动下将刺激新商业的出现,例如数瓦级红、绿和蓝VECSEL用于激光投影仪。近期,苹果公司宣布iPhone 8即将采用VCSEL为其新的后置3D成像系统提供光源,可更快的实现摄像头对焦。此外,还能实现精准的深度映射,从而有助于在增强现实技术中的应用。紧凑、高效和高性能的可定制波长的激光器将会扩大现有商业应用中的使用,VCSEL将会在某些应用领域替代现有激光技术。如可输出蓝光和绿光的Ar离子气体激光器,在过去是共焦荧光显微镜和抽运钛宝石的唯一激光源,后来在很大程度上被全固态激光器取代,而由于VCSEL波长可调谐、功率高、光束质量高,加之器件结构紧凑、效率高、可靠性高,逐渐取代固态激光器。VCSEL将在新型科学应用(如分子光谱学、激光陀螺仪、微波光子学和原子钟等)得到更加广泛地应用。

  2020年9月25日,由全球电子科技领域专业媒体举办的2020中国模拟半导体大会成功举行。电子发烧友....

  技术水平显然是一个重要标准。对芯片的很多细分赛道来说,特别是很多模拟芯片和非常复杂的数字芯片,团队的....

  中微半导体公司是我国集成电路设备行业的领先企业。公司聚焦用于集成电路、LED芯片等微观器件领域的等离....

  迅特通信作为一家立足于中国市场、面向全球的光模块解决方案供应商, 在 5G 潮流中脱颖而出,走在行业....

  除此之外,受惠于智能手机、安防、ETC等新兴领域对半导体产业的需求,汇顶、卓胜微、思特威、博通集成等....

  芯片产品本身是一种高强度智力投资,需要大量的资金及人才投入,如果辛苦高投入的产品很快被其他不法厂商抄....

  尽管每个人都专注于中国在内存市场的发展,但要在非内存IC领域自力更生,对中国来说是一个更加困难的问题....

  半导体作为今年的热词,频繁出现在各大财经头条,2020年以来,由于美国方面对于芯片的极限施压,使得国....

  2020年9月11日,上达电子江苏邳州COF项目投产仪式、2020中国邳州半导体材料投资推介会暨显示....

  此前,英飞凌在汽车领域的产品主要集中在功率半导体、汽车微控制器、传感器以及安全解决方案上,应用领域涵....

  另一方面,地壳中含有丰富的硅元素,其中30%是由硅组成的。工业规模的单晶碳化硅锭的生长是一种成熟的、....

  自二十世纪七十年代光纤诞生以来,光通信技术引领信息技术变革,光通信以光波作为信息传输的载体,以光纤作....

  中国是全球最大的 MOSFET 市场,对于 MOSFET 有巨大的需求。在 MOSFET 应用中,汽....

  压电石英晶体是用量仅次于单晶硅的电子材料,用于制造选择和控制频率的电子元器件,广泛应用于电子信息产业....

  为积极响应国家关于半导体战略决策的落地,推动中国安防半导体产业健康发展和创新应用,中国安防半导体产业....

  此前,业内对于这场收购案的结果有过诸多分析预测,可能影响要素包括收购方对生产线的定位、收购方是否认为....

  日前,为宣传和推广我国半导体产品和技术创新,加快创新成果产业化,中国半导体行业协会、中国电子材料行业....

  此外,IBM 研究曾表明,通过使用基于相变存储器的模拟芯片,机器学习能力可以加速1000倍。IBM公....

  近年来 以苏州纳米城为依托的 园区纳米技术应用产业集群 焕发出勃勃生机 城内众多企业发展势头迅猛 苏....

  原文标题:中国科学院半导体研究所庆祝建所60周年 文章出处:【微信公众号:微纳集成】欢迎添加关注!文....

  据外媒thestar报道,从多股势力对Silterra的竞购看来,全球半导体竞赛正在加速。报道指出,....

  当半导体材料受到一定波长光线的照射时,其电阻率明显减小,或说电导率增大的特性。

  不同用途的半导体元件,能够使用的最先进半导体制程不尽相同。举例而言,记忆体目前最先进制程为14纳米左....

  虽然,这些芯片厂商有了飞速的发展,但我们也看到,长期盘踞在行业第一的巨头们依然占有市场中的绝大部分份....

  根据市调机构IC Insights最新预估,受惠於5G智能手机及电信装置销售动能畅旺,带动应用处理器....

  这些接口是一个问题。Schaldenbrand说:“芯片上有压力,这会改变器件的特性。” “但是,如....

  老化的另一个主要原因是电迁移(EM)。“如果执行诸如EM或IR降落仿真之类的可靠性仿真,不仅设备会退....

  一般来讲,模拟芯片以成熟制程为主,可控制造、工艺改进加速模拟芯片差异化。模拟芯片不像数字芯片追求先进....

  前言 半导体作为带动全球经济增长的重要产业,正以其日新月异的发展助推世界的繁荣,SEMI报告指出,2....

  据国海证券指出,看好成长路径清晰的第三代半导体产业链龙头,设备领域重点推荐:北方华创、华峰测控,器件....

  谋定而后动,基于对市场的认知,森国科决定先做工业级和消费级BLDC的驱动产品,有了基础后再进入车规级....

  电气设计只是电子产品的开始,散热是任何可靠设计都要考虑的重要部分。这篇有关散热设计的文章对老练的工程....

  · 芯片:赛普拉斯拥有独特的微控制器(MCU)、Wi-Fi、经典蓝牙(Classic Bluetoo....

  小编说:光刻胶是半导体、LCD、PCB等产业重要原料之一,且在未来技术升级过程中扮演重要角色,可以说....

  45岁的张学政实现华丽转身。14年前,张学政创业,主要是为消费电子企业代工。如今,他已经手握市值近1....

  在最近的两个月当中,射频企业依旧吸引着资本市场的目光。8月、9月连续两笔近亿元的融资,再次说明了国内....

  更进一步,在芯片制造过程中依然需要EDA软件的辅助,在芯片的良率分析、加工工艺仿真等环节,EDA软件....

  由于基站越来越多地用到了多天线MIMO技术,这对PA提出了更多需求。预计到2022年,4G/ 5G基....

  目录: 1、半导体方面 A:半导体加工设备 B:半导体材 2、超高精度机床 3、工业机器人 4、全球....

  特瑞仕半导体为了开拓新市场,与Novel Crystal Technology, Inc进行了资本合作

  概述 特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616,....

  new 产业动态 在美国实施制裁的背景下,中国也是是愈挫愈勇,对半导体产业发展的重要性已经有很清晰的....

  无人不投半导体,已成为今年的线年上半年,半导体产业已经位居各行业投资同比增速之首,....

  美国智库詹姆斯·刘易斯: 美国目前在这场科技竞赛中领先,但中国正努力追赶

  中国对半导体的投资可能是美国的1000倍,这样的实力对比无论如何都没法赢。美国智库战略与国际问题研究....

  据国际半导体产业协会(SEMI)最新预计,今年全球半导体材料市场将略有增长,达到529.4亿美元。其....

  2020年4月16日,英飞凌宣布完成收购美国赛普拉斯半导体公司。由此,英飞凌不仅将跻身全球半导体制造....

  在现今的移动电子设备市场中,产品一直朝更薄、更细及更高性能的方向迈进。尤有甚之,这股潮流也逐渐吹向产....

  响应国家芯片自制率提升政策,蔚思博检测所具备之验证能量可望有效提供国家芯片自制的研发需求,活化IC之....

  文|Joke 集微网消息 尽管受到新冠疫情、中美贸易摩擦等影响,导致国内经济增长出现一定下滑,但受益....

  集微网整理了2015年至2020年业内重大的并购案,以供读者参详。 作者|张浩 校对|一求 集微网消....

  中国是世界上最大的半导体市场,消费了全球60%的半导体产品,但只有15%在中国制造。因此,中国急于实....

  智芯半导体推出 磁吸轨道灯 调光调色双色温 DALI智能调光 HI7001

  Hi7001 是一款外围电路简单的多功能平均电流型LED 恒流驱动器,适用于 5-100V 电压范围的降压BUCK 大功率调光恒流 LE...

  激光光束通常为机械印制电路板加工提供低压替代方法,如铣削或自动电路板切割。但是紫外激光器具有其它激光器所不具备的好处...

  [摘要]我们​知道​测试​宽​带​5G IC​非常​有​挑战​性,​因而​撰写​了​《5G​半导体​测试​工程​师​指南》​来...

  客户下单购买15W紫外激光器用于pcb电路板激光打标二维码15W紫外激光器采用倍频技术冷加工打标pcb电路板二维码pcb电路板紫外激光...

  想用半导体制冷片制作小冰箱,需要用到大功率电源,半导体制冷片,还有散热系统,单片机控制系统,能调温度,还能显示温度,具体...

  半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。它具有体积小、寿命长的特点,并可采用简单的注入电流的方式...

  FastLab是一款通用半导体参数测量工具软件,主要用于在半导体实验室中协同探针台与测量仪器进行自动化的片上半导体器件的I...

  PQLab是供半导体代工厂和设计公司自动验证PDK (Process Design Kit)/FDK (Process Design Kit)的工具软件...

  44是双轨极低压差稳压器,能够提供超过3.0 A的输出电流,典型的贴壁电压为115 mV。在满载电流下。这些器件具有陶瓷和其他低ESR输出电容的稳定性。该系列包含可调输出电压版本,输出电压低至0.8 V.内部保护功能包括内置热关断和输出电流限制保护。提供用户可编程的软启动和电源良好引脚。 NCV59744采用QFN20-5x5-0.65P封装。 类似产品: NCV59744 NCV59748 NCV59749 输出电流(A) 3.0 1.5 3.0 噪声(μVRMS) 64.8 90 90 压差电压(V) 0.115 0.060...

  49是一款3 A超低压差(LDO)稳压器,能够提供超过3 A的输出电流,典型压差为120 mV。在满载电流下。输出电压可调低至0.8 V.内部保护功能包括热关断和输出电流限制保护。其他功能包括用户可编程软启动和电源就绪。 NCV59749采用5x5 QFN20封装。 类似产品: NCV59744 NCV59748 NCV59749 输出电流(A) 3.0 1.5 3.0 噪声(μVRMS) 64.8 90 90 压差电压(V) 0.115 0.060 0.120 Wettable Flank 否 是 否 特性 优势 120mV Typ。完全3A负载下降 能够以非常小的Vin - Vout电压余量运行 0.8V至3.6V输出电压范围 非常适合低输出电压操作 0.8V至5.5V输入电压范围 低输入电压应用的出色解决方案 25uVrms的输出噪声 噪音的理想选择敏感应用 快速瞬态响应 非常适合高速数字应用中的电压调节选择 输出电流超过3.0 A 快速瞬态响应 可编程软启动 打开排水电源良好输出 使用任何类型的输出电容器稳定 应用 终端产品 汽车 网络和电信 工业 低电压,高电流FPGA,DSP电...

  HFBR-2515BFZ 适用于ST端口的工业应用的10MBd金属外壳光接收器,符合RoHS标准

  HFBR-2515BFZ是金属外壳光接收器,适用于工业和恶劣环境下的光通信。它符合PROFIBUS应用程序,允许从DC到10MBd的数据传输。金属外壳提供坚固的设计,可在恶劣的环境中防止光学端口断裂,并具有出色的ESD性能。光学数据通过光纤环在数字控制和驱动之间传输,具有电压隔离和抗噪声能力。 HFBR-2515BFZ设计用于与变送器HFBR-1515BFZ一起工作。该部分的特点是200微米的HCS®和1mm POF电缆,适用于-40°C至+ 85°C的宽工作温度 特性 符合RoHS标准 符合工业PROFIBUS标准 适用于DC - 10MBd数据速率的应用 ST端口 650nm波长 金属外壳,坚固设计,适用于恶劣的环境应用 指定用于1mm POF和200um HCS 扩展工作温度-40°C至+ 85°C 应用 工业控制数据链接 工厂自动化数据链接 电压隔离应用...

  HFBR-1515BFZ 适用于ST端口的工业应用的10MBd金属外壳光发射机,符合RoHS标准

  HFBR-1515BFZ是金属外壳光发射器,适用于工业和恶劣环境下的光通信。它符合PROFIBUS应用,允许从DC到10MBd的数据传输。金属外壳提供坚固的设计,可在恶劣的环境中防止光学端口断裂,并具有出色的ESD性能。光学数据通过光纤环在数字控制和驱动之间传输,具有电压隔离和抗噪能力。 HFBR-1515BFZ设计用于接收器HFBR-2515BFZ。该部分的特点是200微米的HCS®和1mm POF电缆,适用于-40°C至+ 85°C的宽工作温度 特性 符合RoHS标准 符合工业PROFIBUS标准 适用于DC - 10MBd数据速率的应用 ST端口 650nm波长 金属外壳,坚固设计,适用于恶劣的环境应用 指定用于1mm POF和200um HCS 扩展工作温度-40°C至+ 85°C 应用 工业控制数据链接 工厂自动化数据链接 电压隔离应用...

  HFBR-1505CFZ 适用于工业应用的2MBd金属外壳光发射器,带SMA端口,符合RoHS标准

  HFBR-1505CFZ是金属外壳光发射机,适用于工业和恶劣环境下的光通信。它符合INTERBUS-S应用程序,允许从DC到2MBd的数据传输。金属外壳提供坚固的设计,可在恶劣的环境中防止光学端口断裂,并具有出色的ESD性能。光学数据通过光纤环在数字控制和驱动之间传输,具有电压隔离和抗噪声能力。 HFBR-1505CFZ设计用于接收器HFBR-2505CFZ。该部分的特点是200微米的HCS®和1mm POF电缆,适用于-40°C至+ 85°C的宽工作温度 特性 符合RoHS标准 符合工业INTERBUS- S标准 适用于DC - 2MBd数据速率的应用 SMA端口 650nm波长 金属外壳,坚固耐用的设计环境应用 指定用于1mm POF和200um HCS 扩展工作温度-40°C至+ 85°C 应用 工业控制数据链接 工厂自动化数据链接 电压隔离应用...

  HFBR-1505AFZ 适用于工业应用的10MBd金属外壳光发射机,带SMA端口,符合RoHS标准

  HFBR-1505AFZ是金属外壳光发射机,适用于工业和恶劣环境下的光通信。它符合SERCOS应用程序,允许从DC到10MBd的数据传输。金属外壳提供坚固的设计,可在恶劣的环境中防止光学端口断裂,并具有出色的ESD性能。光学数据通过光纤环在数字控制和驱动之间传输,具有电压隔离和抗噪性。 HFBR-1505AFZ设计用于接收器HFBR-2505AFZ。该部分的特点是200微米的HCS®和1mm POF电缆,适用于-40°C至+ 85°C的宽工作温度 特性 符合RoHS标准 符合工业SERCOS 2 ,4和8MBd标准 适用于DC - 10MBd数据速率的应用 SMA端口 650nm波长 金属外壳,坚固耐用...

  HFBR-2505CFZ 用于工业应用的2MBd金属外壳光接收器,带SMA端口,符合RoHS标准

  HFBR-2505CFZ是金属外壳光接收器,适用于工业和恶劣环境下的光通信。它符合INTERBUS-S应用程序,允许从DC到2MBd的数据传输。金属外壳提供坚固的设计,可在恶劣的环境中防止光学端口断裂,并具有出色的ESD性能。光学数据通过光纤环在数字控制和驱动之间传输,具有电压隔离和抗噪声能力。 HFBR-2505CFZ设计用于与变送器HFBR-1505CFZ一起工作。该部分的特点是200微米的HCS®和1mm POF电缆,适用于-40°C至+ 85°C的宽工作温度 特性 符合RoHS标准 符合工业INTERBUS- S标准 适用于DC - 2MBd数据速率的应用 SMA端口 650nm波长 金属外壳,坚固耐用的设计环境应用 指定用于1mm POF和200um HCS 扩展工作温度-40°C至+ 85°C 应用 工业控制数据链接 工厂自动化数据链接 电压隔离应用...

  HFBR-2505AFZ 适用于工业应用的10MBd金属外壳光接收器,带SMA端口,符合RoHS标准

  HFBR-2505AFZ是金属外壳光接收器,适用于工业和恶劣环境下的光通信。它符合SERCOS应用程序,允许从DC到10MBd的数据传输。金属外壳提供坚固的设计,可在恶劣的环境中防止光学端口断裂,并具有出色的ESD性能。光学数据通过光纤环在数字控制和驱动之间传输,具有电压隔离和抗噪声能力。 HFBR-2505AFZ设计用于与变送器HFBR-1505AFZ一起工作。该部分的特点是200微米的HCS®和1mm POF电缆,适用于-40°C至+ 85°C的宽工作温度 功能 符合RoHS标准 符合工业SERCOS 2,4和8MBd标准 适用于DC - 10MBd数据速率的应用 SMA端口 650nm波长 坚固设计的金属外壳,适用于恶劣的环境应用 指定用于1mm POF和200um HCS 扩展工作温度-40°C至+ 85°C 应用程序 工业控制数据链接 工厂自动化数据链接 电压隔离应用...

  AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

  OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV

  PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

  TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...


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